初级篇：带你进入超频的世界
AMD平台超频手册——初级篇
一、屏蔽不必要的干扰：超频前的准备
1.将Hyper Transport总线倍频设置为3x或更低
　　由于AMD在K8处理器作了相当前瞻性的决定，为了让日后的多核处理器能够得到充分的带宽资源，因此摒弃了此前的FSB前端总线的概念，在处理器的核心中加入了具有革命性意义的内存控制和Hyper Transport技术（简称HT总线技术），使系统效率得到了进一步的提升。简单来说，它是集成在处理器内部的一个控制器，它的作用是让主板的各个部分之间可以通信。换句话说，Hyper Transport允许主板上的各个部件以非常高的速度通信。我们不准备深入探讨这个技术，那与我们今天的讨论无关。
　　其中，对于超频影响较大的莫过于主板所能承受的HTT总线频率。首先要为大家简单说明一下，HTT总线能运行在从200到1000 MHz的频率下。实际上，根据主板，或者可以说是市面上的芯片组的不同，它的额定频率介于600 MHz（nForce 3 150）和1000MHz（某些VIA芯片组，nForce 3 250或nForce 4）之间。它的频率是FSB与LDT相乘的结果，后者在Gigabyte主板上被称为HT Frequency。这个选项以乘法系数的形式给出（1x、2x，3x，直至5x），或是直接表示成HTT频率的形式（200 MHz，400 MHz，600 MHz，800 MHz和1000 MHz）。对于目前的大部分的K8主板而言，它们所能承受的HTT总线频率都在1200MHz以内，因此如果想要稳定超频，最好是把HTT总线频率控制在1000MHz以内。

　　另外，根据我们的测试也表明，HT总线带宽和HT总线倍频，它们对于系统的整体性能影响相当微弱，基本可以忽略。然而，倘若HT总线带宽过高却会严重的影响到系统的稳定性和超频的成功率。以目前K8 处理器的超频来说，300MHz的HT频率几乎成为DIY超频玩家的“最低心理门槛”，因此，我们进行超频的首要任务，就是要想把HT总线倍频降到3x或更低。
2.锁定系统总线频率，关闭Cool and Quiet功能
　　相对于HT总线倍频，另外一个关系到用户配件安全的选项，那就是系统总线频率的锁定问题。无论是现在主流的PCI-E总线主板，如nVIDIA的nForce4 、nForce4 -4x系列，VIA的K8T890Pro系列等，又或者所是上一代AGP总线的nForce 3系列，K8T800系列，它们都有一个标准的工作频率。例如，PCI-E的标准工作频率为100MHz，AGP和PCI的标准工作频率分别是66MHz与33MHz。

　　如果我们在进行超频设置时，没有对相关的总线频率进行锁定操作，导致其频率随着CPU频率的提升而提升，极有可能会影响在其工作的设备的正常运作和寿命。轻则频频死机蓝屏，重则设备烧毁。如果在不具备PCI-E或AGP总线频率锁定的主板上进行超频，会对电脑的相关配件的正常工作带来严重的影像，尤其是硬盘和显卡。如果主板不能进行总线频率锁定，或者BIOS中没有相关选项的话，我们呼吁广大的DIY超频爱好者，要慎重的考虑，以免得不偿失。

　　虽然AMD的Cool and Quiet（冷而静）技术相当不错，但是为了防止在超频过程中出现的不必要干扰，我们建议一开始就将它禁用。

二、手把手带你进入DIY的超频世界
1.如何避免超频失败的发生，学会怎样合理的降低内存频率和时序
　　可能会有朋友记其当年令人遗憾的nForce 2平台，在那上面使用内存异步会遭受巨大的性能损失。所幸的是，得益于K8处理器内置的内存控制器架构，nForce 3或4芯片组上已经不会再出现这种情况了，因而为了更好地超频处理器，不要完全拒绝内存异步。（虽然K8处理器已经整合了内存控制器，已经不存在所谓的内存同步异步问题，但是为了让读者更好的了解，我们依然采用上一代的说法。）
　　当然，最理想的情况应该是保持同步，以获得尽可能高的内存频率，以便于获得更高的内存带宽。但对于普通的DIY用户来说，我们认为完全没有必要为了追求所谓的同步效应，而在内存上投入过多的金钱，我们觉得内存容量比内存频率更为重要，把金钱花在内存的增置上，显然更具性价比。

　　适当的降低RAM与FSB间的比率，能排除由于内存本身的体质问题导致的超频失败现象，当然，性能会有小幅度的下降。

　　上图的中的Command Per Clock选项，就是我们所熟悉的内存1T/2T模式。有时为了获得高的内存频率，我们会将Command Per Clock选项调整至2T模式，一方面可以最大限度的减少由于内存的兼容性问题所导致的系统不稳定状况，另外，2T模式的开启，能更进一步的压榨内存的超频潜力，以达成更高的内存频率。与内存的异步模式相类似，2T模式的开启，会一定程度的降低系统运行的效率。（注：早期C0步进的Socket754 Athlon64处理器，不能开启2T模式，默认只能以1T运行，因此，可能会对部分内存产生兼容性问题，同时插上两条双面内存也有可能出现机器无法启动等现象，我们可以通过CPU-z等系统检测软件来测试我们所使用的K8处理器的核心步进。点击这里下载）
2.细心调整FSB，超频从现在开始！
　　进入BIOS的电压和频率管理界面，以Award的BIOS为例，这个选项经常会被放置在右边的第一个选项中，如下图中红色圈中部分（Genie BIOS Setting选项）。

　　进入后，你会找到调节处理器外频频率的选项，如“FSB Bus Frequency”（不同品牌的主板，名字上会有所出入）。回车确定之后，我们就可以正式展开一系列的超频操作。

　　基于目前市面上的K8主板，都具备八分频能力，也就是说主板所能承受的最大CPU外频为PCI总线频率的八倍（33.3MHz X 8＝264MHz）。因此，我们建议，CPU的外频最好在250MHz上起跳，以10MHz一个步进的向上调节。当然，过程中我们要适当的降低内存与CPU的比率，避免产生由于内存的瓶颈，而导致的超频失败情况。

3.适当降低CPU倍频，进一步的提升外频
　　当然，这个项目只限于AMD Athlon64、Athlon64 FX以及Opteron系列的处理器。因为入门级的Sempron处理器（Sempron 3000 以下），并不具备Cool and Quiet功能，处理器倍频为锁死状态，不能进行倍频的调节。因此，下面的操作主要是针对Athlon64的用户。

　　大家都知道，处理器的时钟频率＝处理器的外频 x 倍频，而CPU和内存之间的关系是用一定的比例来维持的。子系统的效率越高，性能就越好，而提升内存子系统效能的一个相当有效的办法就是——提升内存频率。因此，在相同的CPU时钟频率下，降低CPU倍频，提升CPU外频，就成为进一步压榨系统性能的惯用手法。
4.增加成功机率，合理的增加相关芯片的工作电压
　　适当增加CPU电压和内存电压
　　俗语说得好，要想马儿跑得快，又不让马儿吃草的做法是不可取的，PC硬件超频的道理也是一样。因此对于AMD K8平台上的超频，我们也认为，适当增加CPU和内存的电压是可取的。


　　AMD的K8处理器，到目前位置一共跨越了两个工艺制程，130nm以及90nm。两种制程的处理器的核心工作电压分别是1.5v和1.4v。根据我们的测试经验，两款处理器能够良好运行的极限电压分别是1.65v和1.6v。用户可以根据自身的散热条件，寻找超频的极限频率。
　　适当增加LDT电压

　　当上述的内存频率和参数调整，CPU核心电压的增加等等手段都不能令你的K8处理器达到稳定状态的话，你可以尝试着适当的提高主板LDT Voltage Control选项中的电压值。正常来讲，LDT Voltage的默认电压为1.2v，你可以试着增加0.1v～0.2v，当然，机箱内的散热工作首先要做好！
5.假如超频失败，我们应该如何处理?
　　当然，万事都未必能如人愿，超频也一样。超频失败的情况可能随时发生在你身上，因此，我们要做好心理准备和应对的措施。
　　其实，目前大多数的主板都能很好的避免由于超频失败而导致的无法开机情况。目前主流的K8主板都有所谓的“看门狗”技术，当出现由于超频而无法正常的开机重启时，主板会自动加载系统的默认设定，使系统能正常的运作。也有部分主板需要用户在重启时长按“Insert”或“Home”键来重新加载默认设定。

　　如果上述的操作依然无法令系统正常开机的话，我们还有最后的“杀手锏”——清空COMS！也就是我们会经常听到的清空BIOS操作。正常情况，在主板的BIOS或电池旁边，会有一个小小的跳线帽（如上图，默认短接了1、2针脚），我们只需彻底关闭电源，把跳线帽拔出，放在2、3针脚上短接5秒钟。BIOS由于失去电力供应，里面的设定也将随之掉失，恢复默认。

6.如何测试超频后，系统的稳定性?
　　为了确认获得的最大频率，我们建议使用下述的四个系统检测软件。一方面，它们可以更直观的告诉我们超频后所获得的性能提升，另一方面可以测试出超频后的系统是否稳定，毕竟所需要的不仅仅是一堆数字，能长期稳定的使用才是我们所追求的。
　　Super PI 104万位：它是一个非常快的测试，计算pi值的小数点后一百万位数字。它可以迅速检测到由内存或处理器引起的不稳定问题。但是请注意，超频的处理器成功通过这个SuperPI 1M测试并不表示它就很稳定了。在这里，它是超频确认的第一个步骤。如果处理器没有通过这个测试，那就要重新向下设定它的频率了。
　　SuperPI 3200万位：同样的软件，但这次pi值的计算结果拥有3千2百万位小数。它是对内存和处理器十分彻底的测试。如果这个测试成功地完成，那就代表了系统拥有相当不错的稳定性...
　　SP2004（Prime95）：在测试模式中，这个软件“野蛮”地使用处理器，导致了大量的发热。由于这个原因，它成为一个非常好的稳定性测试。为了确认超频，要让它运行几个小时。通常3个小时已经相当足够，但如果想要百分之百地确定处理器的稳定性，那就运行24个小时。遇到稳定性问题会弹出出错信息，当然，也有可能出现死机、蓝屏或系统重启等系统不稳定的现象。
　　MemTest ：它是一个专门又来测试内存稳定性的软件，有了它，我们就可以更为直观的了解系统的稳定情况或者用来找出超频失败的原因，可以更为方便的找出系统瓶颈是在内存还是CPU本身。通常，如何能通过2000％的残酷测试，那表明内存子系统的稳定性有了更多的保证。
　　3DMark2001：它是3DMark的老版本了，2001版。我们用它是因为2003和2005版带有特别占用显卡资源的3D场景。例如，用相同的显卡，Athlon 64 3000 相对于Athlon FX-55的分数没有太大的差别。2001版的场景更简单一些，因此更多占用处理器。理想的情况是循环运行它，持续数小时。为此应该在模式中设定：在选项中点击Change，并在Benchmark中勾上Loop。它也是检查显卡和处理器完全超频的系统稳定性的理想测试，同时包括内存。如果3DMark 2001通过，你还可以测试3DMark03和3DMark05，以确保万无一失。如果这些测试全都通过的话，就可以肯定已经获得了稳定的超频。但SuperPI，Premium 95和3DMark 2001的组合已经足够了。

MD平台超频手册——高级篇
一、如何进一步优化内存参数，提升系统性能?
1.步步进阶，AMD K8内存参数逐个抓
　　面对着AMD K8处理器众多的内存控制参数，我们应该如何根据自身的实际情况，进行相关的内存参数优化，来进一步的提升我们的系统性能呢?


你都了解上述这些参数设置的意义吗?它们会对性能有哪些的影响呢?
　　下面就让我们逐个逐个为大家介绍。
　　CAS Latency Control（tCL）
　　Settings = Auto，1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5
　　这是最重要的内存参数之一，通常玩家说明内存参数时把它放到第一位，例如3-4-4-8@275mhz，表示cl为3。通常2可以达到更好的性能，但3能提供更佳的稳定性。值得注意的是，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。
　　CAS表示列地址寻址（Column Address Strobe or Column Address Select），CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
　　这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2。5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
影响：主要影响稳定性，轻微影响带宽
建议设置：1.5，2，2.5，和3　
　 　RAS to CAS Delay（tRCD）
　　Settings = Auto、0、1、2、3、4、5、6、7
　　这个是说明内存参数时排到第二位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRCD为4。
　　该参数可以控制内存行地址选通脉冲（RAS，Row Address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3。同样的，调高此参数可以允许内存运行在更高的频率上，用户超频内存遇到困难时可以尝试提高tRCD。
影响：主要影响带宽和稳定性
建议设置： 2-5。2能达到最高性能，为达到内存最高频率可设为4或5。
　　MinRAS Active Timing（tRAS）
　　Settings = Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
　　这个是说明内存参数时排到第四位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRAS为8。
　　这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（tRAS），它表示一个行地址从激活到复位的时间。tRAS过长，会严重影响性能。减少tRAS可以使得被激活的行地址更快的复位，然而，tRAS太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。最佳设置是越低越好。通常，tRAS应该设为tCL tRCD 2个时钟周期。例如如果tCL和tRCD分别为2和3个时钟周期，则最佳的tRAS值为7。但如果产生内存错误或系统不稳定，就必须提高tRAS值了。
　　事实上tRAS是极具争议的一个数值。很多人认为00，05或者10是最快最稳定的。但这也未必对每个用户都适用，它根据内存有所不同。通常设为10后内存能达到最好的超频能力。
影响：轻微影响带宽和稳定性
建议设置：00，5-10。
　　RowPrecharge Timing（tRP）
　　Settings = Auto，0，1，2，3，4，5，6，7
　　这个是说明内存参数时排到第三位的数值，例如3-4-4-8@275mhz，表示tRP为4。
　　tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。因此，在稳定的前提下建议tRP设为2，万一不够稳定就必须增加到3或4。
影响：主要影响带宽和稳定性
简直设置：2-4。2为最佳性能，4-5能达到内存的极限频率。

RowCycle Time（tRC）
　　Settings = Auto，7-22，步进为1。
　　这个参数用来控制内存的行周期时间。tRC决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是从行激活到行充电的时间。根据方程，tRC=tRAS tRP。因此，在设定tRC之前，必须参考一下tRAS和rRP的数值。如果行周期时间过长，会延迟完成一个周期后激活新的行地址的时间。然而，太短会导致被激活的行还未充分充电就开始下一个初始化，这样会造成数据丢失或覆盖。一般情况下根据tRC= tRAS tRP 把tRC设为一个较低的值，例如tRAS为7个时钟周期，tRP为4个时钟周期，则理想的tRC值为11。
影响：主要影响稳定性和内存带宽
建议设置：7为最佳性能，15-17为超频建议参数，可以从16开始逐步调低直到稳定。记住公式tRC = tRAS tRP 。
　　RowRefresh Cycle Time（tRFC）
　　Settings = Auto，9-24 ，步进为1。
　　这个设定代表在同一bank中刷新一个单独的行所需的时间。同时还是同一bank中两次刷新指令的间隔时间。tRFC应该比tRC高。
影响：主要影响内存带宽和稳定性。
建议设置：通常不能达到9，而10为最佳设置。17-19是内存超频建议值。可以从17开始逐步往下调节。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。
　　Rowto Row Delay（也称为RAS to RAS delay）（tRRD）
　　Settings = Auto，0-4，步进1
　　此参数表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电时间。延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。对于桌面电脑，建议使用2个时钟周期的延迟，此时的数据膨胀可以忽视。tRRD设为2可以提高DDR内存的读写性能，当2才稳定时才应该设为3。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性
建议设置：00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。
　　WriteRecovery Time（tWR）
　　Settings = Auto，2，3。
　　tWR表示，在一个内存bank被充电之前，一个有效的写操作完成后延迟的时间。这个延迟保证了在充电之前写缓冲里的数据就能被写入内存单元。延迟越短，说明花更少的时间就能对下一次读写操作充电，但同时也有覆盖数据的可能。我的建议是，使用DDR266和DDR200时可以设为2，但DDR333和DDR400可能不一定稳定，这样就必须设为3。总之在稳定的前提下尽量降低延迟。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性
建议设置：2为最佳性能，超频用户可以考虑3。

　Writeto Read Delay（tWTR）
　　Settings = Auto，1，2
　　这个参数控制写数据到读指令的延迟，它表示在同一bank中，最近的一次有效写操作到下一次读指令间隔的时钟周期。1个时钟周期自然可以提供从读到写更快速的切换。设为2会影响读数据的速度，但但提高稳定性，尤其是高频时。换句话说，对内存超频的玩家，我们建议设为2。通常DDR266和DDR333都能稳定运行在1，这样内存的读速度会更快。当然DDR400的用户也能尝试着设为1，但如果不稳定就必须降到2了。
　　tWTR表示读到写的延迟。三星把这个参数称之为TCDLR（last data in to read command），JDED规格中把它定为一个时钟周期。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性
建议设置：1是最佳性能，超频内存时建议设为2。
　　Readto Write Delay（tRTW）
　　Settings = Auto，1-8 ，步进1
　　tRTW不是一个标准的内存时序参数，当内存控制器接收到一个读指令后立即又收到一个写指令，在写指令执行之前，会产生一个额外的延迟。较低的延迟可以提高内存子系统的写速度。如果想快速的完成读到写的转换，建议设为1个时钟周期。但显然并非所有的内存都能达到这个要求，不稳定时也会出现数据覆盖的错误。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性
建议设置：1是最好性能，超频用户建议为4。普通用户在稳定的基础上选用1。
　　RefreshPeriod（tREF）
　　这个参数是用来设定刷新的间隔时间，除了Auto选项，还有非常多的选项可以选择。Auto表示根据内存的SPD信息来设定，通常是一个很慢的值，为了保证最好的兼容性。数值越高表示性能越好，最高可以达到128us，但太高的值可能导致内存数据丢失，因此我们可以一点一点的增加来得到最理想的数值，前提也是系统足够稳定。
　　另外根据早期的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。每个bit都能随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15。6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15。6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15。6usX2048行=32ms。
影响：轻微影响稳定性和内存带宽
建议设置：根据经验，tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15。6us和3。9us都能稳定运行，1。95us会降低内存带宽。此外还有很多未知的值（?。?us），大多数用户发现3120=200mhz（?。?us）是一个既稳定性能又好的设置，但也同使用的内存芯片有关。

WriteCAS Latency（tWCL）
　　Settings = Auto，1-8
　　SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。
影响：主要影响稳定性，对带宽影响未知。
建议设置：一般用户设为Auto或者1。
　　DRAMBank Interleave
　　Settings = Enable，Disable
　　这个设置用来控制是否启用interleave模式。Interleave模式允许内存bank改变刷新和访问周期。一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问。实践表明，由于所有的内存bank的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。然而，interleave模式只有在出现连续的不同bank的寻址请求时才会起作用，如果处于同一bank，数据处理时和不开启interleave一样。CPU必须等待第一个数据处理结束和内存bank的刷新，这样才能发送另一个地址。目前所有的内存都支持interleave模式，在可能的情况下我们建议打开此项功能。
影响：主要影响带宽和稳定性
建议设置：Enable。Disable会严重影响带宽。
　　DQSSkew Control
　　Settings = Auto，Increase Skew，Decrease Skew
　　稳定的电压可以使内存达到更高的频率，电压浮动会引起较大的时间差（skew），加强控制力可以减少skew，但相应的DQS（数据控制信号）上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟。DDR内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。DDRII引进了更先进的技术：双向的微分I/O缓存器来组成DQS。微分表示用一个简单脉冲信号和一个参考点来测量信号，而并非信号之间相互比较。理论上提升和下降信号应该是完全对成的，但事实并非如此。时钟和数据的失谐就产生了DQ-DQSskew。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性
建议设置：Increase性能好，Decrease稳定性好。
　　DQSSkew Value
　　Settings = Auto，0-255 ，步近为1。
　　当我们开启了DQS skew control后，这选项用来设定增加或减少的数值。这个参数并不灵敏。
影响：轻微影响带宽和稳定性
建议设置：由于此参数不灵敏，开启＂Increase Skew＂可设为50-255。
　　DRAMDrive Strength
　　Settings = Auto，1-8 ，步进为1。
　　这个参数用来调节内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高，增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好，三星的TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳。
　　如果设为Auto，系统通常会设定为一个较低的值。对使用TCCD的芯片而言，表现会好一些。但是其他的内存芯片就并非如此了，根据在DFINF4主板上调试和测试的结果，1 3 5 7都是性能较弱的参数，其中1是最弱的。2 4 6 8是性能较好的参数。TCCD建议参数为3 5或7，其他芯片的内存建议设为6或8。
影响：主要影响稳定性
建议设置：TCCD建议参数为3 5或7，其他芯片的内存建议设为6或8。

DRAMData Drive Strength　　Settings = Levels 1-4，步进为1。
　　这个参数决定了内存数据总线的信号强度，数值越高，信号越强。要处理大负荷的数据流时，需要提高内存的驾驭能力，你可以设为Hi或者High。超频时，调高此项参数可以提高稳定性。此外，这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以，除非超频，一般用户建议设为Lo/Low。
影响：主要影响稳定性
建议设置：普通用户建议使用level 1或3，如果开启了CPC，可能任何高于1的参数都会不稳定。部分用户开启CPC后能运行在3。更多的人关闭CPC后2-4都能够稳定运行。当然最理想的参数是开启CPC后设为level4。
　　MaxAsync Latency
　　Settings = Auto， 0-15 步进为1。
　　目前我还没能找到任何关于此项参数的说明，不知道其功能。感觉网友的经验，在进行Everest的LatencyTest时，可以看出一些差别。在我的BH-6上，参数从8ns到7ns在Latency Test的测试结果中有1ns的区别。从7ns调低6ns后，测试结果又减少了2ns。
影响：轻微影响带宽和稳定性
建议设置：BIOS中的默认值为7ns，建议大家在5-10之间调节。6ns对内存的要求就比较高了，建议使用BH-5和UTT芯片的用户可以尝试一下，但对TCCD不适用。7ns的要求低一些，UTT和BH-5设为7n比较适合超频。8ns对UTT和BH-5就是小菜一碟，8ns时TCCD通常能稳定运行在DDR600，如果想超频到DDR640 就必须设为9ns甚至更高了。
　　ReadPreamble Time　　
　 　　 　　 　 Settings = Auto，2.0-9.5ns，步进为0.5。
　　这个参数表示DQS（数据控制信号）返回后，DQS又被开启时的时间间隔。Samsung早期的显存资料显示，这个参数是用以提升性能的。DQS信号是双向的，无论从图形控制器到DDRSGRAM还是从DDR SGRAM都起作用。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性
建议设置：Auto其实就是5ns，建议值为4-7ns，越低越好。
　　IdleCycle Limit
　　Settings = Auto，0-256 ，步进不定
　　这个参数表示强制关闭一个内存页面前的memclock数值，也就是读一个内存页面之前重充电的最大时间。
影响：轻微影响带宽，主要影响稳定性。
建议设置：普通内存建议使用Auto。好内存建议尝试16-32，我的BH-5能稳定运行在16。
　　DynamicCounter
　　Settings = Auto，Enable，Disable。
　　如果开启这个功能，系统迫使每进入一个内存页面之前调节内部周期限制。也就是说这个参数和前一个idle cyclelimit是密切相关的，启用后会屏蔽掉idle cycle limit，并且根据冲突的发生来动态调节。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性/主要影响内存带宽和稳定性（根据内存芯片）
建议设置：通常Auto就是Disable了。开启后能提升一点性能，关闭后系统更稳定。有一次我开启后系统就崩溃了，然后我不得不调节其他的参数。

　R/WQueue Bypass
　　Settings = Auto，2x，4x，8x，16x。
　　此参数表示在判忧器复写和最后一个操作选择之前，DCI（Device control Interface）的读/写队列的操作时间，和idle cyblelimit比较类似，但这个参数还会影响内存页面的读/写队列。
影响：轻微影响内存带宽，主要影响稳定性。
建议设置：默认的是16x，也是性能最好的参数。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8X甚至更低。
　　BypassMax
　　Settings = Auto， 0x-7x 步进为1
　　此项参数表示判优器选择否决之前，进入DCQ（Dependence Chain Que?）的迂回时间。仔细研究后，我觉得这个参数会影响内存到CPU的连接。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性
建议设置：默认参数为7X。建议4X-7X，此时性能不俗稳定性也不差。
　　32Byte Granulation
　　Settings = Auto， Disable （8burst）， Enable （4burst）。
　　当必须选择突发计数器时并且是32字节的访问时，这个参数可以优化数据总线的带宽。关闭后达到最佳性能。
影响：轻微影响带宽，主要影响稳定性。
建议设定：大多数情况下，Auto和Disable一样，都是8burst。我还是建议设为Disable，不稳定就设为4burst。

2.善用A64 Tweaker，在Windows下直接优化内存！
　　当然，并非所有的主板都能提供如此丰富的内存控制器选项（某些主板很有可能基于稳定性的理由，屏蔽掉部分不常用的内存控制器选项）。可能有读者会提出这样的疑问，如果我们的主板没有上述所说的内存控制选项，那是不是代表不能进行内存参数的优化呢?
　　答案是否定的！因为由DIY者本身所写的A64 Tweaker软件，可以专门针对AMD K8处理器的内存控制器，直接在Windows操作系统下直接修改内存参数，操作相当简便。点击这里下载。值得大家注意的是，A64 Tweaker这个内存控制器软件，主要针对的是Socket939接口的K8处理器（包括Opteron、Athlon64和Sempron），对于Socket754接口的K8处理器（Athlon64和Sempron）来说，在调整四个关键性内存参数时，可能会造成系统的自动重启。这四个参数就是我们上面最先为大家介绍的CAS Latency Control（tCL）、RAS to CAS Delay（tRCD）、MinRAS Active Timing（tRAS）以及RowPrecharge Timing（tRP）。

总结
　　最后，我们把以上参数汇总，便于大家浏览。祝各位玩家都能找到最适合自己系统的内存参数设置，发掘出系统的所有性能。
参数名称　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　对带宽的影响　 　　 　　 　 稳定性的影响

Dram Frequency Set(Mhz)　 　　 　　 　　 　　 　　 　 较大　　
Command Per Clock(CPC)　 　　 　　 　　 　　 　　 较大　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　较大
CAS Latency Control(tCL)　 　　 　　 　　 　　 　　 轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　较大
RAS# to CAS# Delay(tRCD)　 　　 　　 　　 　　 　 较大　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　较大
Min RAS# Active Timing(tRAS)　 　　 　　 　　 　轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　 轻微
Row Precharge Timing(tRP)　 　　 　　 　　 　　 　 较大　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　 较大
Row Cycle Time(tRC)　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　较大　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　 较大
Row Refresh Cycle Time(tRFC)　 　　 　　 较大　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　 较大
Row to Row Delay(tRRD)　 　　 　　 　　 　　 　　 轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　 轻微
Write Recovery Time(tWR)　 　　 　　 　　 　　 轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 轻微
Write to Read Delay(tWTR)　 　　 　　 　　 　　 　 轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 轻微
Read to Write Delay(tRTW)　 　　 　　 　　 　　 　 轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 轻微
Refresh Period(tREF)　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 轻微
Write CAS# Latency(tWCL)　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 较大
DRAM Bank Interleave　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　较大　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 较大
DQS Skew Control　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　 轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 轻微
DQS Skew Value　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　 轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 轻微
DRAM Drive Strength　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　较大
DRAM Data Drive Strength　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 较大
Max Async Latency　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　轻微
Read Preamble Time　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　轻微
Idle Cycle Limit　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 较大
Dynamic Counter　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　轻微
R/W Queue Bypass　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 较大
Bypass Max　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 轻微
32 Byte Granulation　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　 轻微　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　　 　较大